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基于晶格畸变的密度泛函电子结构计算与实验结果非常吻合，业技进一步证实其能隙主要来源于Mo原子的4d轨道。从能带结构计算结果可以看出，下帷φ-主要来源于Mo0与Mo1的贡献，下帷其电子结构来源于Mo4d轨道垂直方向的分量，而φ+来源于Mo4d轨道水平方向的分量（图3b,3d）。

该工作得到了国家自然科学基金、技艺精神湖南省自然科学基金、江苏省自然科学基金和中科院青促会的支持。图1.单层MoTe2/BLG/SiC(0001)的形貌以及电子结构表征为了获得更高的分辨率，切磋将针尖距离样品更近，切磋再次进行恒高隧道谱的mapping成像，发现在MTB-1中部出现双亮点A类结构，而在MTB-1两端以及MTB-2出现三亮点的B类结构（图2a-2b）。与2H相的MoTe2相比，淬炼孪晶边界处的能隙较小表现出金属性，淬炼小范围的隧道谱表明边界处具有U型能隙（φ+和φ-，图1c），而垂直于边界的扫描隧道谱非常均匀（图1d）。

但由于一维体系很容易受到周围（如衬底、工匠相邻原子链之间等）因素的影响，使得其本征电子激发性质难以直接观测。通过分别测量A类和B类结构中各亮点之间的间距，山东省职赛落证明存在晶格畸变（图2c），通过一维Peierls型电荷密度波理论可以解释这些晶格畸变（图2d-2e）。

通讯作者：业技丁孙安，业技李坊森（中科院苏州纳米所），王广（国防科技大学）从上世纪50年代起，一维体系的低能激发行为引起了理论物理学家的广泛关注。

理论计算和实验结果共同给出了单原子层过渡金属硫族化合物中一维Peierls型电荷密度波的确定性证据，下帷为一维体系的电子-声子相互作用、下帷低能激发理论以及电荷调制行为的内在物理机制开辟了新的研究途径。同时魅族盒子将会搭载魅族一直引以为傲的FlymeforTV系统，技艺精神包括TV桌面、技艺精神TV视频、TV应用商店、TV游戏中心、多屏互动、手机遥控器等，打造一个智能化的家庭生态系统。

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